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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
比较
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
32
读取速度,GB/s
15.5
16.6
写入速度,GB/s
11.8
12.1
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2768
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
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