STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

総合得点

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

総合得点

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

相違点仕様コメント

相違点

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 18.5

テスト平均値

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 63

周辺 -117% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

14.6 1,447.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 5300

周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

63 29
読み出し速度、GB/s

3,231.0 18.5
書き込み速度、GB/秒

1,447.3 14.6
メモリ帯域幅、mbps

5300 17000

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

478 3313

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston 9932291-002.A00G 4GB

Kingston 9932291-002.A00G 4GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

Kingston 9905701-029.A00G 16GB