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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
総合得点
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
総合得点
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
15.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
63
周辺 -142% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
1,447.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
26
読み出し速度、GB/s
3,231.0
15.6
書き込み速度、GB/秒
1,447.3
13.2
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
478
2783
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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