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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
63
左右 -142% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
26
读取速度,GB/s
3,231.0
15.6
写入速度,GB/s
1,447.3
13.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2783
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
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