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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

総合得点
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

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SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    58 left arrow 63
    周辺 -9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.0 left arrow 1,447.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    3,231.0 left arrow 9.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,447.3 left arrow 7.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    478 left arrow 2108

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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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Kingston 9905663-008.A00G 16GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
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Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
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SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
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