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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
総合得点
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
総合得点
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
46
51
周辺 10% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
5
10.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
1,852.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
51
読み出し速度、GB/s
5,535.6
10.9
書き込み速度、GB/秒
1,852.4
8.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
858
2286
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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