takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

-->

Средняя оценка

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 51

Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения

5 10.9

Среднее значение в тестах

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.3 1,852.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 51
Скорость чтения, Гб/сек

5,535.6 10.9
Скорость записи, Гб/сек

1,852.4 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

858 2286

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston 9905668-001.A00G 8GB

Kingston 9905668-001.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Kingston 99U5712-009.A00G 16GB

Kingston 99U5712-009.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

модули RAM

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB

Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB

King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

модули RAM