RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
51
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.3
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
51
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
10.9
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2286
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link