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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
総合得点
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
総合得点
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
16.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
46
周辺 -35% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
1,852.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
34
読み出し速度、GB/s
5,535.6
16.4
書き込み速度、GB/秒
1,852.4
12.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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