RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2616
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link