RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

総合得点
star star star star star
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
バグを報告する
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB 考慮すべき理由
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 39
    周辺 -5% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 14.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 8.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    14.3 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.7 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2376 left arrow 3075

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB RAMの比較

PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB RAMの比較

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
メモリRAM