RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Porównaj
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2376
3075
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link