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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
13.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
87
周辺 -142% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
36
読み出し速度、GB/s
3,155.6
16.5
書き込み速度、GB/秒
870.4
13.4
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
3013
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-096.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
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Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
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