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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
比較する
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
18.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
14.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
87
周辺 -211% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
28
読み出し速度、GB/s
3,155.6
18.8
書き込み速度、GB/秒
870.4
14.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
3458
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
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