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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
21.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
19.1
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
87
周辺 -222% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
27
読み出し速度、GB/s
3,155.6
21.9
書き込み速度、GB/秒
870.4
19.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
4044
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Lenovo 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
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