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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
比較する
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905702-010.A00G 8GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
15.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
11.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
87
周辺 -190% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
30
読み出し速度、GB/s
3,155.6
15.6
書き込み速度、GB/秒
870.4
11.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
2792
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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