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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB

総合得点
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

総合得点
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Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB

Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 17.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    870.4 left arrow 12.1
    テスト平均値
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB 考慮すべき理由
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 87
    周辺 -156% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 5300
    周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    87 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    3,155.6 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    870.4 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    417 left arrow 3119

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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
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ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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