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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
13.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
9.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
42
87
周辺 -107% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
42
読み出し速度、GB/s
3,155.6
13.3
書き込み速度、GB/秒
870.4
9.0
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
2427
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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