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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
10.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
87
周辺 -222% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
27
読み出し速度、GB/s
3,155.6
13.9
書き込み速度、GB/秒
870.4
10.9
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
2755
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
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