RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

総合得点
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    870.4 left arrow 7.9
    テスト平均値
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    79 left arrow 87
    周辺 -10% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    87 left arrow 79
  • 読み出し速度、GB/s
    3,155.6 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    870.4 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    417 left arrow 1710

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
メモリRAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
メモリRAM