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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
比較する
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
14.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
87
周辺 -211% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
5300
周辺 4.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
28
読み出し速度、GB/s
3,155.6
17.4
書き込み速度、GB/秒
870.4
14.5
メモリ帯域幅、mbps
5300
23400
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
3419
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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