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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
13.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
87
周辺 -164% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
33
読み出し速度、GB/s
3,155.6
16.2
書き込み速度、GB/秒
870.4
13.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
2665
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-052.A00G 16GB
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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