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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

総合得点
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

総合得点
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Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    870.4 left arrow 11.7
    テスト平均値
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB 考慮すべき理由
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 87
    周辺 -149% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    87 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    3,155.6 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    870.4 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    417 left arrow 2642

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較

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Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
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