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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
14
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
47
53
周辺 -13% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
47
読み出し速度、GB/s
3,726.4
14.0
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
8.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
2640
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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