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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
19.6
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
53
周辺 -130% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
17.6
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
23
読み出し速度、GB/s
3,726.4
19.6
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
17.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
4100
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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Kingston 9905734-018.A00G 16GB
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Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
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Kingston 9965596-019.B01G 4GB
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