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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
9.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
25
周辺 -9% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
23
読み出し速度、GB/s
16.1
16.1
書き込み速度、GB/秒
10.1
9.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2591
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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