RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
25
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2591
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link