Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

10.1 9.9

Среднее значение в тестах

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 25

Около -9% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 23
Скорость чтения, Гб/сек

16.1 16.1
Скорость записи, Гб/сек

10.1 9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2764 2591

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB

Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB

Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB

модули RAM