RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Сравнить
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB против SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
13.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3211
2786
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link