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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
16.1
16.1
写入速度,GB/s
10.1
9.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2591
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
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