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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
51
左右 -132% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
22
读取速度,GB/s
9.8
15.0
写入速度,GB/s
8.1
7.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2452
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
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