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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
45
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
45
读取速度,GB/s
14.6
10.7
写入速度,GB/s
8.8
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2142
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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