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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
69
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
23
读取速度,GB/s
4,217.2
14.7
写入速度,GB/s
1,857.7
7.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2244
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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