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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
69
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2244
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.C16FH 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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