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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
27
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3561
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
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Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
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