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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
27
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
15.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3561
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
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