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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
18.3
テスト平均値
考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
53
周辺 -66% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
14.9
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
32
読み出し速度、GB/s
3,726.4
18.3
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
14.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
3149
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
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