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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
53
左右 -66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
32
读取速度,GB/s
3,726.4
18.3
写入速度,GB/s
1,590.1
14.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3149
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
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Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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