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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
13.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
53
周辺 -77% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.2
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
30
読み出し速度、GB/s
3,726.4
13.5
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
7.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
2154
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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