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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
53
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.2
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
30
读取速度,GB/s
3,726.4
13.5
写入速度,GB/s
1,590.1
7.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2154
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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