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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
INTENSO 5641160 8GB
比较
Kingston HP698651-154-MCN 8GB vs INTENSO 5641160 8GB
总分
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
总分
INTENSO 5641160 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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需要考虑的原因
INTENSO 5641160 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
INTENSO 5641160 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
23
读取速度,GB/s
11.8
16.1
写入速度,GB/s
6.4
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2003
2613
Kingston HP698651-154-MCN 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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