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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

総合得点
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

総合得点
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Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15
    テスト平均値
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 53
    周辺 -51% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 1,590.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    53 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    3,726.4 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,590.1 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    522 left arrow 2609

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較

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Kingston KCRXJ6-MIE 16GB RAMの比較

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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