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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
総合得点
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
総合得点
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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考慮すべき理由
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
51
周辺 -96% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.3
10.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.2
7.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
26
読み出し速度、GB/s
10.2
14.3
書き込み速度、GB/秒
7.6
11.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2049
2912
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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