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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston KMKYF9-MIB 8GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
13.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
53
周辺 -51% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.0
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
35
読み出し速度、GB/s
3,726.4
13.9
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
10.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
2434
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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