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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
13.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
53
周辺 -66% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
6.9
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
32
読み出し速度、GB/s
3,726.4
13.8
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
6.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
1844
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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