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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
53
Por volta de -66% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
6.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
1844
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
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Kingston 9905713-028.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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