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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
総合得点
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
総合得点
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
27
周辺 7% 低遅延
考慮すべき理由
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.2
12.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.8
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
27
読み出し速度、GB/s
12.5
14.2
書き込み速度、GB/秒
8.4
9.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2180
2330
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
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