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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

総合得点
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB 考慮すべき理由
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 32
    周辺 19% 低遅延
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    22.6 left arrow 14.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.4 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    14.1 left arrow 22.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 16.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2354 left arrow 3837

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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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