RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
比較する
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
総合得点
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
総合得点
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
53
周辺 51% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.1
10.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.5
8.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
53
読み出し速度、GB/s
14.1
10.1
書き込み速度、GB/秒
9.5
8.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2354
2319
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAMの比較
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link