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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

総合得点
star star star star star
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

総合得点
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V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB 考慮すべき理由
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 40
    周辺 35% 低遅延
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 14.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.7 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    14.1 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 9.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2354 left arrow 2462

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAMの比較

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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Kingston K821PJ-MIB 16GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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