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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
総合得点
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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考慮すべき理由
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
44
周辺 -47% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.7
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
30
読み出し速度、GB/s
10.9
17.4
書き込み速度、GB/秒
7.5
14.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1853
3527
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAMの比較
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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